Alle topologier kræver hurtigt skiftende strømafbrydere. Boost-trinnet og fuldbro-konverteringstrinnet kræver hurtige koblingsdioder. Derudover er switche optimeret til lavfrekvent (100Hz) konvertering også nyttige til disse topologier. For enhver bestemt siliciumteknologi har switches, der er optimeret til hurtig omskiftning, større ledningstab end switches, der er optimeret til lavfrekvente switch-applikationer.

Boost-trinnet er generelt designet som en kontinuerlig strøm-mode-omformer. I henhold til antallet af solcellemoduler i arrayet, der bruges af inverteren, skal du vælge, om du vil bruge 600V eller 1200V enheder. De to muligheder for strømafbrydere er MOSFET og IGBT. Generelt kan MOSFET arbejde ved en højere koblingsfrekvens end IGBT. Derudover skal kropsdiodens indflydelse altid tages i betragtning: der er ikke noget problem i tilfælde af boost-stadiet, fordi kropsdioden ikke leder i normal driftstilstand. Ledningstabet for en MOSFET kan beregnes ud fra ledningsmodstanden RDS(ON). For en given MOSFET-serie er dette proportionalt med det effektive matriceareal. Når den nominelle spænding ændres fra 600V til 1200V, vil ledningstabet af MOSFET stige kraftigt. Derfor, selvom den nominelle RDS(ON) er ækvivalent, er 1200V MOSFET ikke tilgængelig, eller prisen er for høj.

Vær venlig at se og forstå os bedre:

20000 watt pure sine wave ac inverter